欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:SAMSUNG(三星电子)MLCC贴片电容/存储芯片全系列-亿配芯城 > 芯片资讯 > 半导体核心技术外流中国 韩研议提高相关刑责
半导体核心技术外流中国 韩研议提高相关刑责
发布日期:2024-01-05 13:20     点击次数:75

韩国致力于发展半导体技术,该行业在其经济和国防等领域具有关键影响。然而,近年来,已有多起技术外流事件被发现,这引起了社会各界对知识产权保护的高度关注。

近期,韩国主要的半导体制造商三星电子曝出重大泄密案,员工和供应商泄露了公司的重大技术信息,引发巨大经济损失。据悉,两名涉事员工金某和方某已被当地检方起诉,他们涉嫌在2016年向中国长鑫存储(CXMT)透露了三星集团18纳米DRAM制程秘诀。

根据调查,金某在跳槽到长鑫存储后,泄露了三星公司的蒸镀相关资料以及7项关键技术信息,获得了数千亿韩元的收益,更以5亿韩元的税后收入从三星及相关厂家挖走了20余位技术人员。

另一方面,方某作为为三星供应半导体设备的高管,协同金某将含有关键设计技术的公司资料泄露给了长鑫存储。

值得注意的是,SAMSUNG(三星电子)MLCC贴片电容/存储芯片 就在此案公开的半年前,一位负责三星电子投资的常务涉嫌接受中资,计划在中国建立“复制版本”的三星半导体工厂,该行为推断至少导致三星电子损失3000亿韩元(约合新台币73亿元)。

据报道,韩国最高审判机构量刑委员会考虑针对此类重大知识产权侵权案件,提议调整相关的法律法规,并将其列为首要任务;且韩国的警察部门也提出,由于此类技术外流造成的损失及造成损失的规模难以估测,且肇事人往往受到轻微的惩罚,因此需要升级对这类违法行为的惩罚标准。

此外,检方还指出,目前的法律体系将技术外流分为在国内流失和流向国外两种情况,但是恶性程度不同,需要进一步细化为5到6种标准。

尽管诸如三星电子这样的大型企业已经加强了保护商业秘密的管理和措施,但保护知识产权的重任不能仅仅依靠企业自身,员工的道德和法律观念也至关重要。