欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:SAMSUNG(三星电子)MLCC贴片电容/存储芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > K4W1G0846S-GC15

K4W1G0846S-GC15 相关话题

TOPIC

随着科技的飞速发展,内存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。三星K4W1G0846S-GC15 BGA封装DDR储存芯片便是其中一种具有代表性的产品。本文将围绕该芯片的技术特点、方案应用等方面进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4W1G0846S-GC15 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术,具备高速、稳定的特点。该芯片采用了BGA封装形式,具有更小的体积和更高的集成度,使得其在各类电子产品中的应用更为广泛。该芯片的主要技术参数包括:工作电压为1.8V至3.6V,工作频率高
  • 共 1 页/1 条记录