欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:SAMSUNG(三星电子)MLCC贴片电容/存储芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > K4F8E3S4HD-GUCL

K4F8E3S4HD-GUCL 相关话题

TOPIC

随着科技的飞速发展,电子设备对内存的需求越来越大,DDR储存芯片在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星K4F8E3S4HD-GUCL是一款BGA封装的DDR储存芯片,其在技术应用和方案选择上具有显著的优势。 首先,我们来了解一下三星K4F8E3S4HD-GUCL的基本技术特性。这款芯片采用BGA封装,具有高密度、高速度、高可靠性的特点。其工作电压为1.8V,工作频率达到2133MHz,具有出色的读写速度和低功耗特性。此外,它支持ECC校验功能,能有效提高数据传输的准确性,大大增强了系统的
  • 共 1 页/1 条记录