欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:SAMSUNG(三星电子)MLCC贴片电容/存储芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > K4B4G1646E-BCN

K4B4G1646E-BCN 相关话题

TOPIC

随着科技的飞速发展,内存芯片在电子设备中的应用越来越广泛。三星K4B4G1646E-BCN是一款采用BGA封装的DDR储存芯片,其性能和方案应用在当今市场具有重要意义。 一、技术特点 三星K4B4G1646E-BCN采用BGA封装技术,具有高密度、高可靠性、低成本等优势。该芯片采用DDR2内存技术,具备高速的数据传输速率和低功耗特性。其数据总线为双列直插式封装,容量为4GB,工作电压为1.8V,工作频率为464MHz。该芯片具有较高的读写速度和较低的延迟时间,适用于各种需要大量数据存储和高速数
  • 共 1 页/1 条记录