SAMSUNG(三星电子)MLCC贴片电容/存储芯片
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2025-05
亿配芯城(ICGOODFIND)荣幸成为武汉大学元器件芯片供应商
作为中国高等教育与科研领域的标杆, 武汉大学 以其深厚的学术底蕴和前沿的科研实力闻名遐迩。这所始建于 1893 年的百年名校,不仅是国家 “985 工程”“211 工程” 重点建设高校,更是首批 “双一流” 建设高校,在 2025 年 QS 世界大学排名中位列全球第 194 位,中国内地高校第 9 位。 学科优势:科研创新的 “国家队” 武汉大学学科门类齐全,覆盖 13 个学科领域,尤其在电子信息、人工智能、半导体等前沿领域成果斐然。其电子信息学院研发的 全球首台全天时精准测温激光雷达 ,实现
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2025-05
电子元器件采购指南:从批发平台到基础知识全解析
在电子产业蓬勃发展的当下,电子元器件的批发采购、优质代理商的选择,以及电子学基础知识的学习,成为电子行业从业者和爱好者关注的重点。无论是企业大规模生产,还是个人项目研发,找到可靠的电子元器件批发网、了解行业内代理排名情况,以及借助专业书籍夯实电子学基础,都对工作和学习有着重要意义。本文将围绕电子元器件批发网、电子元器件代理排名、电子学基础电路和元器件书三大核心内容展开,并介绍亿配芯城在其中发挥的重要作用。 一、电子元器件批发网:高效采购的关键渠道 电子元器件批发网凭借其便捷性、丰富的产品资
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2025-05
风云变幻!全球 TOP4 芯片分销商格局大洗牌,大联大强势登顶
在全球芯片分销领域,局势正经历着翻天覆地的变化。近年来,行业格局持续动荡,各大分销商的竞争态势愈发激烈。 2024 年,文晔科技率先发力,在第二季度实现了单季营收的重大突破,首次超越行业老牌巨头艾睿,登上全球电子元器件分销商单季营收的榜首。这一成绩的取得并非偶然,其全年营收更是一路高歌猛进,达到了惊人的 297.53 亿美元,成功将全球年度第一的桂冠收入囊中 。文晔科技的崛起,得益于其积极的市场策略与精准的业务布局,特别是在数据中心、服务器等领域的深耕细作,收获了丰厚的回报。 然而,市场的竞争
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2025-05
常用电子元器件采购指南:UL认证解析与专业BOM配单服务
在电子电路设计与采购中,掌握常用电子元器件特性、理解 UL 认证的核心价值,以及找到专业的配单渠道,是保障项目合规性与高效落地的关键。本文将围绕这三大核心议题展开,结合实战经验与行业标准,为硬件工程师、采购人员及电子爱好者提供系统化解决方案,并解析亿配芯城如何通过技术赋能实现全流程优化。 436 437 一、常用电子元器件分类与核心应用 438 439 电子元器件是电子设备的基础单元,按功能可分为被动元件、主动元件、机电元件三大类,以下是 10 种典型器件的特性与选型要点: 440 44
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2025-04
亿配芯城接入DEEPSEEK AI 大模型,让芯片采购更灵活
4月22日,在芯片技术迭代加速与 AI 深度渗透的双重驱动下,亿配芯城正式宣布接入 DeepSeek 大模型,推出智能芯片顾问服务。通过融合行业级语义理解与垂直领域知识库,亿配芯城将传统芯片采购中的参数查询、特性解析、手册解读与场景适配四大环节进行智能化升级,打造覆盖 "需求输入 - 方案输出 - 技术输出" 的端到端 AI 解决方案。 一、关键参数:毫秒级精准响应,突破数据壁垒 面对全球超 3000 万种芯片型号 的复杂参数体系,亿配芯城 AI 助手依托 DeepSeek 的千亿级参数模型,
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2024-10
三星K4ZAF325BM-HC18 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展,电子设备对内存的需求越来越大,DDR储存芯片作为一种重要的内存器件,在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。三星K4ZAF325BM-HC18 BGA封装DDR储存芯片便是其中的佼佼者。本文将对该芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4ZAF325BM-HC18 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。BGA,即球栅阵列封装,其具有高密度、高可靠性的特点。该芯片内部采用了高速DDR2内存接口,数据传输速率高达1600MT/s,能够满足各种高端设备
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2024-10
三星K4ZAF325BM-HC14 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展,电子设备对内存的需求越来越大,而DDR储存芯片作为电子设备的重要组成部分,其性能和稳定性直接影响到设备的运行效果。三星K4ZAF325BM-HC14 BGA封装DDR储存芯片便是其中的佼佼者。本文将对该芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4ZAF325BM-HC14 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术,其特点如下: 1. 高速度:该芯片支持高达2880MT/s的内存带宽,能够满足高性能电子设备对内存的高要求。 2. 高密度:该芯片采用了BGA封
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2024-10
三星K4ZAF325BC-SC16 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展,电子设备对内存的需求越来越大,DDR储存芯片在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星K4ZAF325BC-SC16 BGA封装DDR储存芯片便是其中的佼佼者。本文将对该芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4ZAF325BC-SC16 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术,其特点主要包括: 1. 高速度:该芯片支持高速DDR3内存接口,数据传输速率高达2500MT/s,大大提高了设备的整体性能。 2. 高密度:采用BGA封装,芯片面积大大减小,
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2024-10
三星K4Z80325BC-HC14 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展,电子产品对内存的需求越来越高,而三星K4Z80325BC-HC14 BGA封装DDR储存芯片正是满足这一需求的关键组件。本文将就这款芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4Z80325BC-HC14 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术,具有以下特点: 1. 高速度:该芯片支持高达DDR4-3200的内存速度,能够提供极高的数据传输速率,满足高性能电子产品对内存性能的需求。 2. 高密度:由于采用了BGA封装,芯片具有极小的体积,可以集成更多的内存
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2024-10
三星K4X51163PG-FGC6 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。而作为电子设备的重要组成部分,内存芯片在很大程度上决定了设备的性能和稳定性。三星K4X51163PG-FGC6 BGA封装DDR储存芯片便是其中一款备受瞩目的产品。本文将就这款芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 首先,我们来了解一下三星K4X51163PG-FGC6 BGA封装DDR储存芯片的技术特点。这款芯片采用了先进的BGA封装技术,具有高集成度、低功耗、高可靠性的特点。它采用了DDR3内存接口,支持双通道数据传输,最高
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2024-10
三星K4W4G1646E-BC1A BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。其中,内存芯片作为电子设备的重要组成部分,其性能和稳定性直接影响着设备的运行效果。三星K4W4G1646E-BC1A BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片,在各类电子产品中得到了广泛的应用。本文将对该芯片的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星K4W4G1646E-BC1A BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。BGA,即球栅阵列封装,是一种将集成电路芯片放入到球栅阵列包装盒中,通过焊接工艺将
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2024-10
三星K4W2G1646E-BC11 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。其中,内存芯片作为电子设备的重要组成部分,其性能和稳定性直接影响着设备的运行速度和稳定性。三星K4W2G1646E-BC11 BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片,在各种电子设备中得到了广泛的应用。 一、技术特点 三星K4W2G1646E-BC11 BGA封装DDR储存芯片采用先进的内存技术,具有高速、低功耗、高稳定性的特点。该芯片采用BGA封装,具有更高的集成度,能够适应更小的空间要求。此外,该芯片还具有优秀的